产品描述
随着技术的发展，动态随机存取存储器 (DRAM) 器件的尺寸越来越大，片上组件越来越小。因此，在 DRAM 芯片上电气或磁干扰有增无减。较少的能量粒子能够改变内存单元的状态。这类干扰会导致 DRAM 的一个位元自发翻转至相反的状态。这可能会导致系统崩溃或损坏数据。此外，处理功能性安全系统的应用还需要减少数据和地址。这不仅适用于由干扰引起的故障，也适用于由卡接和短路等永久性故障引起的故障。
已开发出几种方法来处理这些多余的比特翻转。其中之一是为数据计算一个纠错码 (ECC)，并将其与数据一起存储在 DRAM 中。最常见的 ECC 是一种 SECDED Hamming 码，允许您纠正单位错误，检测双位错误。
主要功能与优势
- 支持 AXI4 和 AXI4-Lite
- 8 至 512 的可配置数据位宽。数据宽度必须是 2 的幂。
- 针对每个数据字节的 ECC 计算。
- 针对每个数据字节的单位错误检测及校正以及双位错误检测。
- 支持软复位和硬复位。
- 可配置的未完成事务处理支持读取通道高达 64 位的位宽。
- 应用 ECC 时，数据位宽值加倍。
- 在单位错误的情况下，该位与被通知的更正一起纠正。
- 支持两种类型的 ECC 模式：Hamming 和 HSIAO。
- 错误注入（单位和双位错误）。
- 错误检测时的从设备错误响应。
- 寄存器中的错误启动地址捕获。
- 提供单位及双位错误的错误计数
技术支持
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